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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.72 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.3 A |
| 基于收集器的最大容量： | 15 pF | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 90 |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 140 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.6 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC2003-M | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
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| 2SC2020 | SONY |
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RP POWER TRANSISTOR |
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| 2SC2020R | SWST |
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功率三极管 |
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| 2SC2021 | ROHM |
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General Small Signal Amp. Epitaxial Planar NPN Silicon Transistors |
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| 2SC2021/E | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SC2021/Q | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SC2021/QS | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SC2021/R | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SC2021/RS | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SC2021/S | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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