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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Contact Manufacturer | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.46 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.3 A |
| 基于收集器的最大容量： | 15 pF | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.6 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 140 MHz | VCEsat-Max： | 0.6 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC2002-L | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
|
| 2SC2002-L | RENESAS |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
|
| 2SC2002M | NEC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 300MA I(C) | TO-92 |
|
| 2SC2002M | CDIL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 |
|
| 2SC2002-M | RENESAS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
|
| 2SC2003 | NEC |
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NPN SILICON TRANSISTOR |
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| 2SC2003-A | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
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| 2SC2003K | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 300MA I(C) | TO-92 |
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| 2SC2003L | CDIL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 |
|
| 2SC2003M | CDIL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 |
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