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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A |
| 基于收集器的最大容量： | 4.5 pF | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 90 |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 70 MHz | VCEsat-Max： | 0.3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC2000L | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
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| 2SC2000M | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
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| 2SC2001 | DCCOM |
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TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
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| 2SC2001 | WINNERJOIN |
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TRANSISTOR (NPN) |
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| 2SC2001 | NEC |
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NPN SILICON TRANSISTOR |
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| 2SC2001 | TRSYS |
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Plastic-Encapsulated Transistors |
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| 2SC2001 | SECOS |
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NPN Plastic Encapsulated Transistor |
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| 2SC2001 | LGE |
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双极型晶体管 |
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| 2SC2001 | SWST |
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小信号晶体管 |
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| 2SC2001 | CJ |
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TO-92 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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