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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.51 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 400 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 140 | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 1 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 35 MHz | VCEsat-Max： | 1 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1971(TE12L) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,400V V(BR)CEO,500MA I(C),SOT-89 |
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| 2SA1971_09 | TOSHIBA |
获取价格 |
High-Voltage Switching Applications |
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| 2SA1972 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR (HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS) |
|
| 2SA1972_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
High-Voltage Switching Applications |
|
| 2SA1972_09 | TOSHIBA |
获取价格 |
High-Voltage Switching Applications |
|
| 2SA1973 | SANYO |
获取价格 |
DC/DC Converter Applications |
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| 2SA1973-5 | SANYO |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-346 |
|
| 2SA1973-6 | SANYO |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-346 |
|
| 2SA1977 | NEC |
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PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MICROWAVE AMPLIFIER |
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| 2SA1977 | RENESAS |
获取价格 |
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MICROWAVE AMPLIFIER |
|
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