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2SA1971

更新时间: 2024-10-27 22:52:39
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东芝 - TOSHIBA 晶体开关小信号双极晶体管高压
页数 文件大小 规格书
3页 159K
描述
TRANSISTOR (HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS)

2SA1971 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.51Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):0.5 A
集电极-发射极最大电压:400 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):140JESD-30 代码:R-PSSO-F3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
功耗环境最大值:1 W最大功率耗散 (Abs):0.5 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):35 MHzVCEsat-Max:1 V
Base Number Matches:1

2SA1971 数据手册

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