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| 生命周期： | Lifetime Buy | 包装说明： | CHIP CARRIER, R-XBCC-N3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.7 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.4 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 12 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 500 | JESD-30 代码： | R-XBCC-N3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 130 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1955F | TOSHIBA |
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General Purpose Amplifier Applications Switching and Muting Switch Application |
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| 2SA1955F-B | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 400 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ESM, 2-2HA1A, 3 PIN, BIP Genera |
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| 2SA1955FV | TOSHIBA |
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General Purpose Amplifier Applications Switching and Muting Switch Application |
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| 2SA1955FV-A | TOSHIBA |
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暂无描述 |
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| 2SA1958 | ETC |
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| 2SA1960 | HITACHI |
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Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SA1960RF | HITACHI |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 1-Element, Silicon, NPN, TO-92, TO-92(1), 3 |
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| 2SA1960RF | RENESAS |
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Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-92(1), 3 PIN |
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| 2SA1960RR | RENESAS |
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Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-92(1), 3 PIN |
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| 2SA1960TZ | RENESAS |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 1-Element, Silicon, NPN, TO-92 |
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