Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SA1955F

2SA1955F

更新时间： 2024-11-12 07:29:47

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东芝 - TOSHIBA		开关放大器
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5页	127K
描述
General Purpose Amplifier Applications Switching and Muting Switch Application

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2SA1955F 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.82	最大集电极电流 (IC)：	0.4 A
集电极-发射极最大电压：	12 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	300	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	130 MHz

2SA1955F 数据手册

2SA1955F

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)

2SA1955F

General Purpose Amplifier Applications

Unit: mm

Switching and Muting Switch Application

•

Low saturation voltage: V

(1) = −15 mV (typ.)

CE (sat)

@I = −10 mA/I = −0.5 mA

Large collector current: I = −400 mA (max)

Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

−15

−12

CBO

CEO

EBO

1.BASE

2.EMITTER

3.COLLECTOR

−5

−400

−50

°C

Base current

Collector power dissipation

Junction temperature

100

JEDEC

JEITA

―

125

Storage temperature range

−55~125

stg

TOSHIBA

2-2HA1A

Weight: 2.3 mg (typ.)

Marking

Type Name

Rank

G A

2005-01-14

12 3 4 5

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