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2N7336

更新时间： 2024-09-17 07:29:15

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SEME-LAB		晶体晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
3页	46K
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14 LEAD DUAL IN LINE QUAD

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2N7336 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DIP
包装说明：	IN-LINE, R-CDIP-T14	针数：	14
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.09	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	75 mJ
配置：	SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	1 A	最大漏源导通电阻：	0.8 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-CDIP-T14
元件数量：	4	端子数量：	14
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	4 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N7336 数据手册

2N7336

IRFG6110

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm (inches)

14 LEAD DUAL IN LINE QUAD

N & P CHANNEL

POWER MOSFETS

19.507 0.432

(0.768 0.017)

100V

DSS

0.457 0.102

2.134

(0.084)

(0.018 0.004)

N-CHANNEL P-CHANNEL

-0.75A

Ω

1.4

(cont)

Ω

0.7

(on)

FEATURES

• AVALANCHE ENERGY RATED

• HERMETICALLY SEALED

• DYNAMIC dv/dt RATING

1.422 0.102

(0.056 0.004)

2.54

(0.100)

• SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

• FOR AUTOMATIC INSERTION

• SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

• EASE OF PARALLELING

N-CHANNEL P-CHANNEL N-CHANNEL P-CHANNEL

1—Drain 1 5—Gate 2 8—Drain 3 12—Gate 4

2—Source 1 6—Source 2 9—Source3 13—Source 4

3—Gate 1 7—Drain 2 10—Gate 3 14—Drain 4

• 2 N-CHANNEL/2 P-CHANNEL

CO-PACKAGED HEXFETS

N-CHANNEL P-CHANNEL

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_case= 25°C unless otherwise stated)

Gate – Source Voltage

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

20V

1.A

20V

-0.75A

(V = 10V , T

= 25°C)

case

(V = 10V , T

= 100°C)

0.6A

-0.5A

case

-3A

Power Dissipation @ T = 25°C

case

1.4W

Linear Derating Factor

0.011W/°C

75mJ

0.011W/°C

75mJ

Single Pulse Avalanche Energy

dv/dt

Peak Diode Recovery

5.5V/ns

–55 to 150°C

-5.5V/ns

–55 to 150°C

T , T

Operating and Storage Temperature Range

Thermal Resistance Junction to Case

Thermal Resistance Junction-to-Ambient

stg

6.25°C/W

175°C/W

θJC

θJCA

Notes

1) Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, δ ≤ 2%

2) @ V = 25V , L ≥ 112mH , R = 25Ω , Peak I = 1A , Starting T = 25°C

3) @ I ≤ 1A , di/dt ≤ 75A/µs , V ≤ BV

, T ≤ 150°C , Suggested R = 24Ω

J G

DSS

Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N7336JANTX	INFINEON	获取价格	POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036AB)
2N7336JANTXV	INFINEON	获取价格	POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036AB)
2N7336PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 0.7ohm, 4-Element, N-Channel and P-Channel,
2N735	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-18
2N735A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-18
2N736	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-18
2N7368	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254AA, Metal
2N7368JAN	MICROSEMI	获取价格	NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
2N7368JANTX	MICROSEMI	获取价格	NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
2N7368JANTXV	MICROSEMI	获取价格	NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

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