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2N7334

更新时间： 2024-09-17 07:29:15

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SEME-LAB		晶体晶体管光电二极管局域网
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14 LEAD DUAL IN LINE QUAD

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2N7334 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	IN-LINE, R-PDIP-T14
针数：	14	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.11	其他特性：	AVALANCHE ENERGY RATED
配置：	SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	JESD-30 代码：	R-PDIP-T14
元件数量：	4	端子数量：	14
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N7334 数据手册

2N7334

IRFG110

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm (inches)

14 LEAD DUAL IN LINE QUAD

N-CHANNEL

19.507 ± 0.432

(0.768 ± 0.017)

POWER MOSFETS

0.457 ± 0.102

2.134

(0.084)

(0.018 ± 0.004)

±100V

DSS

(cont)

Ω

0.7

(on)

FEATURES

• AVALANCHE ENERGY RATED

• HERMETICALLY SEALED

• DYNAMIC dv/dt RATING

1.422 ± 0.102

(0.056 ± 0.004)

2.54

• SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

• FOR AUTOMATIC INSERTION

• SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

• EASE OF PARALLELING

(0.100)

14 LEAD MOULDED DIP PACKAGE

N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL

1—Drain 1 5—Gate 2 8—Drain 3 12—Gate 4

2—Source 1 6—Source 2 9—Source3 13—Source 4

3—Gate 1

7—Drain 2

10—Gate 3

14—Drain 4

• 4 N-CHANNEL CO-PACKAGED HEXFETS

• LIGHTWEIGHT

11,4—NC

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_case= 25°C unless otherwise stated)

Gate – Source Voltage

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

±20V

1.A

(V = 10V , T

= 25°C)

case

(V = 10V , T

= 100°C)

0.6A

case

Power Dissipation @ T = 25°C

case

1.4W

Linear Derating Factor

0.011W/°C

75mJ

Single Pulse Avalanche Energy

dv/dt

T , T

Peak Diode Recovery

5.5V/ns

–55 to 150°C

6.25°C/W

175°C/W

Operating and Storage Temperature Range

Thermal Resistance Junction to Case

Thermal Resistance Junction-to-Ambient

stg

θJC

θJCA

Notes

1) Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, δ ≤ 2%

2) @ V = 25V , L ≥ 112mH , R = 25Ω , Peak I = 1A , Starting T = 25°C

3) @ I ≤ 1A , di/dt ≤ 75A/µs , V ≤ BV

, T ≤ 150°C , Suggested R = 24Ω

J G

DSS

Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is believed

to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.

Semelab encourages customers to verify that datasheets are current before placing orders.

Document Number 5829

Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

Issue 1

E-mail: sales@semelab.co.uk

Website: http://www.semelab.co.uk

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N7334JANTXV	INFINEON	获取价格	POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036AB)
2N7335	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| ARRAY \| P-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 750MA I(D) \| DIP
2N7335E3	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor
2N7336	SAMES	获取价格	14 LEAD DUAL IN LINE QUAD N & P CHANNEL POWER MOSFETS
2N7336	SEME-LAB	获取价格	14 LEAD DUAL IN LINE QUAD
2N7336JANTX	INFINEON	获取价格	POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036AB)
2N7336JANTXV	INFINEON	获取价格	POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036AB)
2N7336PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 0.7ohm, 4-Element, N-Channel and P-Channel,
2N735	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-18
2N735A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-18

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