5秒后页面跳转
2N7002KT1G PDF预览

2N7002KT1G

更新时间: 2024-01-31 16:50:47
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER PC开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 794K
描述
320mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN

2N7002KT1G 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:SOT-23
包装说明:HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.05
Is Samacsys:N配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (ID):0.32 A
最大漏源导通电阻:1.6 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):2.2 pFJEDEC-95代码:TO-236
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:NOT SPECIFIED元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:COMMERCIAL
表面贴装:YES端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2N7002KT1G 数据手册

 浏览型号2N7002KT1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N7002KT1G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2N7002KT1G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2N7002KT1G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2N7002KT1G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2N7002KT1G的Datasheet PDF文件第7页 

与2N7002KT1G相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2N7002K-T1-GE3 VISHAY N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

获取价格

2N7002KT1H ONSEMI 320mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT,

获取价格

2N7002KT3G ONSEMI Small Signal MOSFET 60 V, 380 mA, Single, Nâˆ

获取价格

2N7002KTB PANJIT 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected

获取价格

2N7002KTB_14 PANJIT 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected

获取价格

2N7002KTB6 PANJIT 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected

获取价格