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2N7002DWQ-13-F

更新时间： 2024-02-17 08:01:14

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美台 - DIODES		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	217K
描述
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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2N7002DWQ-13-F 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	GREEN, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	16 weeks	风险等级：	5.77
其他特性：	HIGH RELIABILITY	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.23 A
最大漏极电流 (ID)：	0.23 A	最大漏源导通电阻：	7.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	5 pF
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.4 W	参考标准：	AEC-Q101
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

2N7002DWQ-13-F 数据手册

2N7002DW

Package Outline Dimensions

Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.

SOT363

Min

0.10

1.15

2.00

Dim

Max

0.30

1.35

2.20

B C

0.65 Typ

0.40

1.80

0.90

0.25

0.10

0°

0.45

2.20

0.10

1.00

0.40

0.22

8°

All Dimensions in mm

Suggested Pad Layout

Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.

Dimensions Value (in mm)

2.5

1.3

0.42

0.6

1.9

0.65

4 of 5

www.diodes.com

November 2013

2N7002DW

Document number: DS30120 Rev. 16 - 2

1 2 345

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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