Datasheet > 2N6990E3

2N6990E3

更新时间： 2024-02-25 04:04:13

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	149K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, FLAT PACK-14

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N6990E3 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLAT PACK-14
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.69
最大集电极电流 (IC)：	0.8 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-PDSO-F14	元件数量：	1
端子数量：	14	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	300 ns	最大开启时间（吨）：	35 ns
Base Number Matches：	1

2N6990E3 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http://www.microsemi.com

Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland.

Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298

MULTIPLE (QUAD) NPN SILICON DUAL IN-LINE

AND FLATPACK SWITCHING TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/559

DEVICES

LEVELS

JAN

JANTX

JANTXV

JANS

2N6989

2N6990

2N6989U

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Collector-Emitter Voltage ⁽³⁾

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Vdc

Collector-Base Voltage ⁽³⁾

Emitter-Base Voltage ⁽³⁾

Collector Current ⁽³⁾

Vdc

6.0

Vdc

800

mAdc

TO-116 – 2N6989

2N6989 ⁽²⁾

2N6989U ⁽²⁾

2N6990 ⁽²⁾

1.5

1.0

Total Power Dissipation

@ T_A= +25°C

P_D

Operating & Storage Junction Temperature Range

T_op, T_stg

-65 to +200

°C

Note:

1. Maximum voltage between transistors shall be ≥ 500Vdc.

2. For derating, see figures 6, 7, 8 and 9. Ratings apply to total package.

3. For thermal impedance curves, see figures 10, 11, 12 and 13.

4. Ratings apply to each transistor in the array.

20 PIN LEADLESS

2N6989U

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 10mAdc

V_(BR)CEO

Vdc

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 60Vdc

ηAdc

μAdc

I_CBO

_CB= 75Vdc

V_CB= 60Vdc, T_A= +150°C

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 4.0Vdc

μAdc

ηAdc

14 PIN FLAT PACK

2N6990

I_EBO

_EB= 6.0Vdc

T4-LDS-0177 Rev. 1 (101229)

Page 1 of 7

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与2N6990E3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N6990JAN	MICROSEMI	获取价格	MULTIPLE NPN SILICON DUAL IN-LINE AND FLATPACK SWITCHING TRANSISTOR
2N6990JANS	MICROSEMI	获取价格	MULTIPLE NPN SILICON DUAL IN-LINE AND FLATPACK SWITCHING TRANSISTOR
2N6990JANTX	MICROSEMI	获取价格	MULTIPLE NPN SILICON DUAL IN-LINE AND FLATPACK SWITCHING TRANSISTOR
2N6990JANTXV	MICROSEMI	获取价格	MULTIPLE NPN SILICON DUAL IN-LINE AND FLATPACK SWITCHING TRANSISTOR
2N699A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| TO-205AD
2N699B	ETC	获取价格	Small Signal Transistors
2N-6F	APITECH	获取价格	Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2500MHz Max, ROHS COMPLIANT PACKAGE
2N-7	APITECH	获取价格	Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2500MHz Max, ROHS COMPLIANT PACKAGE
2N70	UTC	获取价格	2 Amps, 700 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET
2N700	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 20V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-72

与2N6990E3相关文章

压敏电阻器在直流电路中的过压保护应用探讨
2024-06-07

2
电感耐压值及其与电感大小的关系
2024-06-07

5
CNY17F光耦合器：特性、应用、封装、引脚功能及替换型号解析
2024-06-07

4
DS1307资料解析：特性、引脚说明、替代推荐
2024-06-07

3

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2N6990E3

2N6990E3 技术参数

2N6990E3 数据手册

与2N6990E3相关器件

与2N6990E3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2N6990E3

2N6990E3 技术参数

2N6990E3 数据手册

与2N6990E3相关器件

与2N6990E3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？