5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 2N6035/D
2N6035/D PDF预览

2N6035/D

更新时间： 2024-02-03 08:53:51
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 112K
描述
Plastic Darlington Silicon Power Transistors

阅读下载

中文翻译

获取价格

2N6035/D 技术参数

生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.67
最大集电极电流 (IC)：4 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：100
JEDEC-95代码：TO-126JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：PNP
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：25 MHz
Base Number Matches：1

2N6035/D 数据手册

 浏览型号2N6035/D的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N6035/D的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2N6035/D的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2N6035/D的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2N6035/D的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2N6035/D的Datasheet PDF文件第7页 
ON Semiconductort  
PNP  
2N6035  
Plastic Darlington  
Complementary Silicon Power  
Transistors  
. . . designed for general–purpose amplifier and low–speed  
switching applications.  
*
*
2N6036  
NPN  
2N6038  
2N6039  
• High DC Current Gain —  
h
FE  
= 2000 (Typ) @ I = 2.0 Adc  
C
*ON Semiconductor Preferred Device  
• Collector–Emitter Sustaining Voltage — @ 100 mAdc  
= 60 Vdc (Min) — 2N6035, 2N6038 = 80 Vdc  
V
CEO(sus)  
DARLINGTON  
4–AMPERE  
(Min) — 2N6036, 2N6039  
COMPLEMENTARY  
SILICON  
POWER TRANSISTORS  
60, 80 VOLTS  
• Forward Biased Second Breakdown Current Capability  
I
= 1.5 Adc @ 25 Vdc  
S/b  
• Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Resistors to  
LimitELeakage Multiplication  
40 WATTS  
• Space–Saving High Performance–to–Cost Ratio TO–225AA Plastic  
Package  
MAXIMUM RATINGS (1)  
2N6035  
2N6038  
2N6036  
2N6039  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
V
CEO  
60  
60  
80  
80  
V
CB  
EB  
V
5.0  
Collector Current — Continuous  
Peak  
I
C
4.0  
8.0  
CASE 77–09  
TO–225AA TYPE  
Base Current  
I
B
100  
mAdc  
Total Power Dissipation @ T = 25_C  
P
40  
0.32  
Watts  
C
D
Derate above 25_C  
W/_C  
Total Power Dissipation @ T = 25_C  
P
D
1.5  
0.012  
Watts  
A
Derate above 25_C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J
–65 to +150  
_C  
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
3.12  
83.3  
Unit  
_C/W  
_C/W  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
(1) Indicates JEDEC Registered Data.  
θ
JC  
θ
JA  
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
March, 2001 – Rev. 9  
2N6035/D  
12345678

中文翻译

下载PDF

与2N6035/D相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N6035_06 ONSEMI

获取价格

 		Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors
2N6035_08 ONSEMI

获取价格

 		Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors
2N6035G ONSEMI

获取价格

 		Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors
2N6035LEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/
2N6035PNP CDIL

获取价格

 		SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
2N6036 CDIL

获取价格

 		SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
2N6036 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
2N6036 ONSEMI

获取价格

 		Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors
2N6036 MCC

获取价格

 		PNP Darlington Power Transistor
2N6036 SAVANTIC

获取价格

 		Silicon PNP Power Transistors

与2N6035/D相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证