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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SIP | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.17 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 4 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JEDEC-95代码： | TO-126 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6036_00 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
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| 2N6036_09 | STMICROELECTRONICS |
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Complementary power Darlington transistors |
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| 2N6036G | ONSEMI |
获取价格 |
Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors |
|
| 2N6036PNP | CDIL |
获取价格 |
SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
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| 2N6037 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
MIDIUM POWER DAR;OMGTONS |
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| 2N6037 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N6037 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N6037 | NJSEMI |
获取价格 |
COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON TRANSISTORS |
|
| 2n6037 | CDIL |
获取价格 |
SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
|
| 2N6037LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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