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2N6038

更新时间: 2024-11-17 22:12:19
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管放大器局域网
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4页 178K
描述
MIDIUM POWER DAR;OMGTONS

2N6038 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.36
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):4 A
基于收集器的最大容量:100 pF集电极-发射极最大电压:60 V
配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):100
JEDEC-95代码:TO-126JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:40 W最大功率耗散 (Abs):1.5 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):25 MHz
VCEsat-Max:3 V

2N6038 数据手册

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