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2N6039

更新时间： 2024-01-15 00:37:59

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	105K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N6039 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.83
最大集电极电流 (IC)：	4 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JEDEC-95代码：	TO-126	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	25 MHz

2N6039 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N6037 2N6038 2N6039

DESCRIPTION

·With TO-126 package

·Complement to type 2N6034/6035/6036

·DARLINGTON

·High DC current gain

APPLICATIONS

·Designed for general-purpose amplifier

and low-speed switching applications

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Emitter

Collector

Base

Absolute maximum ratings(Ta=ꢀ )

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

2N6037

2N6038

2N6039

2N6037

2N6038

2N6039

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

ꢀ

Collector current-peak

Base current

0.1

P_D

T_j

Total Power Dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25ꢀ

150

-65~150

T_stg

ꢀ

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance junction to case

3.12

ꢀ/W

12 3

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与2N6039相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N6039G	ONSEMI	Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors	获取价格
2N6039NPN	CDIL	SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS	获取价格
2N6040	BOCA	DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS	获取价格
2N6040	ONSEMI	Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors	获取价格
2N6040	CENTRAL	NPN SILICON TRANSISTOR	获取价格
2N6040	NJSEMI	POWER DERATING	获取价格