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2N6036

更新时间： 2024-01-16 01:44:20

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管放大器局域网
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3页	124K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2N6036 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-225AA	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
Factory Lead Time：	2 weeks	风险等级：	0.87
Samacsys Description：	ON SEMICONDUCTOR - 2N6036G - TRANSISTOR, PNP, -80V, -4A, TO-225	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-225AA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	25 MHz

2N6036 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2N6034 2N6035 2N6036

DESCRIPTION

·With TO-126 package

·Complement to type 2N6037/6038/6039

·DARLINGTON

·High DC current gain

APPLICATIONS

·Designed for general-purpose amplifier

and low-speed switching applications

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Emitter

Collector

Base

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

-40

UNIT

2N6034

2N6035

2N6036

2N6034

2N6035

2N6036

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

-60

-80

-40

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

-60

-80

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

-5

-4

Collector current-peak

Base current

-8

-0.1

P_D

T_j

Total Power Dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

150

-65~150

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

Thermal resistance junction to case

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

3.12

℃/W

12 3

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