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2N6036

更新时间： 2024-01-27 17:23:59
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安森美 - ONSEMI 晶体晶体管放大器局域网
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8页 114K
描述
Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors

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2N6036 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-225AA包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：2 weeks风险等级：0.87
Samacsys Description：ON SEMICONDUCTOR - 2N6036G - TRANSISTOR, PNP, -80V, -4A, TO-225最大集电极电流 (IC)：4 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：100JEDEC-95代码：TO-225AA
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：1.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：25 MHz

2N6036 数据手册

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ON Semiconductor)  
PNP  
2N6035  
Plastic Darlington  
Complementary Silicon Power  
Transistors  
. . . designed for general–purpose amplifier and low–speed  
switching applications.  
*
*
2N6036  
NPN  
2N6038  
2N6039  
• High DC Current Gain —  
h
= 2000 (Typ) @ I = 2.0 Adc  
FE  
• Collector–Emitter Sustaining Voltage — @ 100 mAdc  
= 60 Vdc (Min) — 2N6035, 2N6038 = 80 Vdc  
C
*ON Semiconductor Preferred Device  
V
CEO(sus)  
DARLINGTON  
4–AMPERE  
(Min) — 2N6036, 2N6039  
COMPLEMENTARY  
SILICON  
POWER TRANSISTORS  
60, 80 VOLTS  
• Forward Biased Second Breakdown Current Capability  
I
= 1.5 Adc @ 25 Vdc  
S/b  
• Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Resistors to  
Limit Leakage Multiplication  
E
40 WATTS  
• Space–Saving High Performance–to–Cost Ratio TO–225AA Plastic  
Package  
MAXIMUM RATINGS (1)  
2N6035  
2N6038  
2N6036  
2N6039  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
V
CEO  
60  
60  
80  
80  
STYLE 1:  
V
CB  
EB  
PIN 1. EMITTER  
2. COLLECTOR  
3. BASE  
3
V
5.0  
2
1
Collector Current — Continuous  
Peak  
I
C
4.0  
8.0  
CASE 77–09  
TO–225AA TYPE  
Base Current  
I
100  
mAdc  
B
Total Power Dissipation @ T = 25_C  
P
40  
0.32  
Watts  
C
D
Derate above 25_C  
W/_C  
Total Power Dissipation @ T = 25_C  
P
1.5  
0.012  
Watts  
A
D
Derate above 25_C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
stg  
–65 to +150  
_C  
J
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
3.12  
83.3  
Unit  
_C/W  
_C/W  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
(1) Indicates JEDEC Registered Data.  
θ
JC  
θ
JA  
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2002  
1
Publication Order Number:  
April, 2002 – Rev. 10  
2N6035/D  
12345678

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