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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.67 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 4 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JEDEC-95代码： | TO-126 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 25 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N6035/D | ETC | Plastic Darlington Silicon Power Transistors |
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| 2N6035_06 | ONSEMI | Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors |
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| 2N6035_08 | ONSEMI | Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors |
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| 2N6035G | ONSEMI | Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors |
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| 2N6035LEADFREE | CENTRAL | Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| 2N6035PNP | CDIL | SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
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