5秒后页面跳转
2N5835 PDF预览

2N5835

更新时间: 2024-09-17 21:01:27
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
1页 134K
描述
Transistor

2N5835 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.69Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.06 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):25JESD-609代码:e0
最高工作温度:200 °C极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.2 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT):2500 MHzBase Number Matches:1

2N5835 数据手册

  

与2N5835相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N5836 ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-46
2N5837 ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 5V V(BR)CEO | 300MA I(C) | TO-46
2N5838 SAVANTIC

获取价格

Silicon NPN Power Transistors
2N5838 ISC

获取价格

Silicon NPN Power Transistors
2N5838 NJSEMI

获取价格

SI NPN POWER BJT
2N5838 APITECH

获取价格

Transistor, TO3-3
2N5838 MICROSEMI

获取价格

Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 250V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL
2N5838 ASI

获取价格

Transistor
2N5838 MOTOROLA

获取价格

HIGH-VOLTAGE, HIGH-POWER SILICON N-P-N POWER TRANSISTORS
2N5838 SEME-LAB

获取价格

Bipolar NPN Device