5秒后页面跳转
2N5839E3 PDF预览

2N5839E3

更新时间: 2024-11-09 15:25:03
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 83K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,

2N5839E3 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.77
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):3 A
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):10
JEDEC-95代码:TO-3JESD-30 代码:O-MBFM-P2
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
表面贴装:NO端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):5 MHzBase Number Matches:1

2N5839E3 数据手册

  

与2N5839E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N5840 MOTOROLA

获取价格

HIGH-VOLTAGE, HIGH-POWER SILICON N-P-N POWER TRANSISTORS
2N5840 JMNIC

获取价格

Silicon NPN Power Transistors
2N5840 SAVANTIC

获取价格

Silicon NPN Power Transistors
2N5840 ISC

获取价格

Silicon NPN Power Transistors
2N5840 SEME-LAB

获取价格

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3
2N5840 APITECH

获取价格

Transistor, TO3-3
2N5840 ASI

获取价格

Transistor
2N5840 RENESAS

获取价格

TRANSISTOR,BJT,NPN,375V V(BR)CEO,3A I(C),TO-3VAR
2N5840 MICROSEMI

获取价格

Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 350V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL
2N5841 ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-72