5秒后页面跳转
2N5854E3 PDF预览

2N5854E3

更新时间: 2024-11-18 06:25:19
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 70K
描述
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, 3 Pin, TO-61, 3 PIN

2N5854E3 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-X3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.77
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):10 A
集电极-发射极最大电压:80 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):30JEDEC-95代码:TO-61
JESD-30 代码:O-MUPM-X3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
极性/信道类型:NPN表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2N5854E3 数据手册

  

与2N5854E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N5855 ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-105
2N5856 ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-105
2N5857 ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-105
2N5858 ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-105
2N5859 CENTRAL

获取价格

Small Signal Transistors
2N5859LEADFREE CENTRAL

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, TO
2N5859PBFREE CENTRAL

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor,
2N5859TIN/LEAD CENTRAL

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor,
2N586 ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | PNP | 250MA I(C) | TO-45(3)
2N5861 NJSEMI

获取价格

NPN SILICON MEMORY DIRVER TRANSISTOR