2N5840

更新时间： 2024-09-17 06:18:27

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	117K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N5840 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.56
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

2N5840 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N5838 2N5839 2N5840

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Low collector saturation voltage

·High breakdown voltage

APPLICATIONS

·For use in switching power supply and

other inductive switching circuits.

PINNING

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

275

300

375

250

275

350

UNIT

2N5838

2N5839

2N5840

2N5838

2N5839

2N5840

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

Open collector

T_C=25℃

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

P_D

T_j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

100

150

-65~200

℃

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

Thermal resistance junction to case

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

1.25

℃/W

12 3

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