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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5842 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-72 |
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| 2N5843 | ETC |
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SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS |
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| 2N5844 | ETC |
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SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS |
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| 2N5845 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-92 |
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| 2N5845A | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-92 |
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| 2N5849 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 24V V(BR)CEO | 7A I(C) | STX-10 |
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| 2N585 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 24V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-1 |
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| 2N5851 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-72 |
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| 2N5852 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-72 |
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| 2N5853 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Metal, 3 Pin, |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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