是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-39 |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.75 | 风险等级: | 5.36 |
最大集电极电流 (IC): | 2 A | 集电极-发射极最大电压: | 40 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 30 |
JEDEC-95代码: | TO-39 | JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | NPN |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子面层: | MATTE TIN (315) | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 250 MHz | 最大关闭时间(toff): | 60 ns |
最大开启时间(吨): | 35 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N5859PBFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, | |
2N5859TIN/LEAD | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, | |
2N586 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 250MA I(C) | TO-45(3) | |
2N5861 | NJSEMI |
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NPN SILICON MEMORY DIRVER TRANSISTOR | |
2N5861 | CENTRAL |
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Small Signal Transistors | |
2N5864 | SEME-LAB |
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Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package. | |
2N5865 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-39 | |
2N5867 | APITECH |
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Transistor, | |
2N5867 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package | |
2N5867 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |