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| 生命周期： | Active | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.06 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 8 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 57 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 标称过渡频率 (fT)： | 5 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5838E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
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| 2N5839 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5839 | MOTOROLA |
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HIGH-VOLTAGE, HIGH-POWER SILICON N-P-N POWER TRANSISTORS |
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| 2N5839 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 275V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
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| 2N5839 | RENESAS |
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3A, 275V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
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| 2N5839 | APITECH |
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Transistor, TO3-3 |
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| 2N5839 | ASI |
获取价格 |
Transistor |
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| 2N5839 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5839 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5839E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
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