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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.06 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 基于收集器的最大容量： | 150 pF | 集电极-发射极最大电压： | 275 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 |
| JEDEC-95代码： | TO-204AA | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 100 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 57 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 5 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 5250 ns |
| VCEsat-Max： | 1.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5839E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
|
| 2N5840 | MOTOROLA |
获取价格 |
HIGH-VOLTAGE, HIGH-POWER SILICON N-P-N POWER TRANSISTORS |
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| 2N5840 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5840 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2N5840 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2N5840 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 |
|
| 2N5840 | APITECH |
获取价格 |
Transistor, TO3-3 |
|
| 2N5840 | ASI |
获取价格 |
Transistor |
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| 2N5840 | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,375V V(BR)CEO,3A I(C),TO-3VAR |
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| 2N5840 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 350V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
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