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| 生命周期： | Active | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.06 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 57 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 标称过渡频率 (fT)： | 5 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5839E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
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| 2N5840 | MOTOROLA |
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HIGH-VOLTAGE, HIGH-POWER SILICON N-P-N POWER TRANSISTORS |
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| 2N5840 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5840 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5840 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5840 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 |
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| 2N5840 | APITECH |
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Transistor, TO3-3 |
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| 2N5840 | ASI |
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Transistor |
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| 2N5840 | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,NPN,375V V(BR)CEO,3A I(C),TO-3VAR |
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| 2N5840 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 350V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
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