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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.45 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 275 V | 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 |
| JEDEC-95代码： | TO-3 | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码： | e0 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5839E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
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| 2N5840 | MOTOROLA |
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HIGH-VOLTAGE, HIGH-POWER SILICON N-P-N POWER TRANSISTORS |
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| 2N5840 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5840 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5840 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5840 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 |
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| 2N5840 | APITECH |
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Transistor, TO3-3 |
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| 2N5840 | ASI |
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Transistor |
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| 2N5840 | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,NPN,375V V(BR)CEO,3A I(C),TO-3VAR |
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| 2N5840 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 350V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
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