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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.58 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1 V | JEDEC-95代码： | DO-35 |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | JESD-609代码： | e1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 2 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 0.15 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 最大功率耗散： | 0.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 100 V | 最大反向电流： | 5 µA |
| 最大反向恢复时间： | 0.004 µs | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN SILVER COPPER | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N4448T-88 | ROHM |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35, |
|
| 1N4448-TAP | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Planar Diodes |
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| 1N4448-TP | MCC |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2 |
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| 1N4448TR | FAIRCHILD |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35, DO-35, 2 PIN |
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| 1N4448TR | CENTRAL |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35 |
|
| 1N4448TR | ONSEMI |
获取价格 |
高电导快速二极管 |
|
| 1N4448-TR | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Planar Diodes |
|
| 1N4448TR_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 1N4448TRLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35 |
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| 1N4448TR-RECU | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35 |
|
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