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1N4448TR

更新时间: 2024-02-03 02:03:06
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CENTRAL 二极管
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1页 26K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35

1N4448TR 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:1.59Samacsys Description:75V SMALL SIGNAL DIODE DO-35 1
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.72 VJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-XALF-W2JESD-609代码:e2
湿度敏感等级:1最大非重复峰值正向电流:2 A
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最大输出电流:0.3 A
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:100 V最大反向恢复时间:0.004 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED

1N4448TR 数据手册

  

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