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1N4448TR

更新时间: 2024-11-24 20:43:11
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CENTRAL 二极管
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1页 26K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35

1N4448TR 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.09外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-PALF-W2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最大输出电流:0.15 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:100 V最大反向恢复时间:0.004 µs
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1N4448TR 数据手册

  

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