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1N4448W

更新时间： 2024-02-07 16:28:39

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描述
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

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1N4448W 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-F2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.58	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	0.25 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	0.15 W	最大重复峰值反向电压：	75 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

1N4448W 数据手册

1N4448W

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

Fast Switching Diode

PINNING

DESCRIPTION

Cathode

Anode

Top View

Marking Code: "W1"

Simplified outline SOD-123 and symbol

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

V_RM

V_R

Value

100

Unit

Peak Reverse Voltage

Reverse Voltage

Average Rectified Output Current

I_O

150

Forward Continuous Current

I_FM

300

0.5

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current (at t = 1 µs)

I_FSM

Power Dissipation

P_d

T_j

400

150

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_stg

- 65 to + 150

Characteristics at T_a= 25 C

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Unit

Forward Voltage

at I_F= 5 mA

at I_F= 10 mA

at I_F= 100 mA

at I_F= 150 mA

0.62

0.72

0.855

V_F

1.25

Reverse Leakage Current

at V_R= 80 V

100

µA

at V_R= 20 V

at V_R= 75 V, T_J= 150 C

I_R

at V_R= 25 V, T_J= 150 C

Reverse Breakdown Voltage

at I_R= 100 µA

V_(BR)R

C_tot

t_rr

Capacitance

at V_R= 0.5 V, f = 1 MHz

Reverse Recovery Time

at I_F= I_R= 10 mA, I_rr= 0.1 X I_R, R_L= 100 Ω

SEMTECH ELECTRONICS LTD.

(Subsidiary of Sino-Tech International Holdings Limited, a company

listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)

Dated : 07/04/2009

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