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1N4448WRH

更新时间： 2024-02-25 19:57:45

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TSC		二极管开关
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2页	97K
描述
400mW High Speed SMD Switching Diode

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1N4448WRH 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-F2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.58	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	0.25 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	0.15 W	最大重复峰值反向电压：	75 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

1N4448WRH 数据手册

1N4148W/1N4448W/1N914BW

400mW High Speed SMD Switching Diode

Small Signal Diode

SOD-123F

Features

Fast switching device(Trr<4.0nS)

Surface device type mounting

Moisture sensitivity level 1

Matte Tin(Sn) lead finish with Nickel(Ni) underplate

Pb free version and RoHS compliant

Green compound (Halogen free) with suffix "G" on

packing code and prefix "G" on date code

Unit (mm)

Unit (inch)

Dimensions

Min

1.5

Max

Min

Max

Mechanical Data

Case : Flat lead SOD-123 small outline plastic package

1.7 0.059 0.067

3.7 0.130 0.146

0.7 0.020 0.028

2.7 0.098 0.106

3.3

Terminal: Matte tin plated, lead free., solderable

per MIL-STD-202, Method 208 guaranteed

0.5

High temperature soldering guaranteed: 260°C/10s

Polarity : Indicated by cathode band

Weight : 8.85±0.5 mg

2.5

0.8

1.0

0.031 0.039

0.05

0.2 0.002 0.008

Ordering Information

Part No.

Packing

Package

1NxxxxW RH

3Kpcs / 7" Reel

SOD-123F

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.

Maximum Ratings

Type Number

Symbol

P^D

Value

Units

Power Dissipation

400

100

Non-Repetitive Peak Reverse Voltage

Repetitive Peak Reverse Voltage

Repetitive Peak Forward Current

Mean Forward Current

VRSM

V^RRM

I^FRM

300

°C/W

°C

150

Thermal Resistance (Junction to Ambient) (Note 1)

Junction and Storage Temperature Range

RθJA

TJ, TSTG

450

-65 to + 150

Electrical Characteristics

Type Number

Symbol

Min

Max

Units

100

IR=100uA

Reverse Breakdown Voltage

I^R=5uA

V(BR)

Forward Voltage

0.62

0.72

1.0

1N4448W, 1N914BW

1N4148W

I^F=5.0mA

V^F

I^F=10.0mA

I^F=100.0mA

V^R=20V

1N4448W, 1N914BW

μA

Reverse Leakage Current

5.0

4.0

V^R=75V

Junction Capacitance

V^R=0, f=1.0MHz

Trr

Reverse Recovery Time (Note 2)

Notes:1. Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature

Notes:2. Reverse Recovery Test Conditions: I_F=10mA, I_R=60mA, R_L=100Ω, I_RR=1mA

Version : C09

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