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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> 1N4448W-7-F
1N4448W-7-F PDF预览

1N4448W-7-F

更新时间： 2024-02-12 13:10:13
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 整流二极管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
3页 163K
描述
FAST SWITCHING SURFACE MOUNT DIODE

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1N4448W-7-F 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：GREEN, PLASTIC PACKAGE-2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
Factory Lead Time：19 weeks风险等级：0.74
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：264101Samacsys Pin Count：2
Samacsys Part Category：DiodeSamacsys Package Category：Small Outline Diode
Samacsys Footprint Name：1N4448W-7-FSamacsys Released Date：2016-04-29 11:58:28
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.72 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：2 A
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：0.25 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大功率耗散：0.4 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：75 V
最大反向恢复时间：0.004 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

1N4448W-7-F 数据手册

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SPICE MODEL: 1N4448W  
1N4448W  
Lead-free  
FAST SWITCHING SURFACE MOUNT DIODE  
Features  
·
·
·
·
·
·
Fast Switching Speed  
Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion  
For General Purpose Switching Applications  
High Conductance  
SOD-123  
Dim  
A
Min  
3.55  
2.55  
1.40  
—
Max  
3.85  
2.85  
1.70  
1.35  
0.65  
Lead Free/RoHS Compliant (Note 3)  
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability  
B
Mechanical Data  
·
·
C
D
Case: SOD-123  
J
H
D
G
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability Classification  
Rating 94V-0  
0.45  
E
·
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
A
B
0.55 Typical  
0.25  
0.11 Typical  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
G
H
J
—
Lead Free Plating (Matte Tin Finish annealed over Alloy 42  
leadframe)  
E
C
—
0.10  
·
·
·
·
·
Polarity: Cathode Band  
a
0°  
8°  
Marking: Date Code and Type Code: See Page 3  
Type Code: T5  
All Dimensions in mm  
Ordering Information See Page 3  
Weight: 0.01 grams (approximate)  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
VRM  
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage  
100  
V
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
75  
VR(RMS)  
IFM  
RMS Reverse Voltage  
53  
V
Forward Continuous Current  
Average Rectified Output Current  
500  
250  
mA  
mA  
IO  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t = 1.0ms  
4.0  
2.0  
IFSM  
A
@ t = 1.0s  
Pd  
Power Dissipation (Note 2)  
400  
315  
mW  
°C/W  
°C  
RqJA  
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 2)  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj , TSTG  
-65 to +150  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Test Condition  
V(BR)R  
Reverse Breakdown Voltage (Note 1)  
IR = 10mA  
75  
¾
V
IF = 5.0mA  
IF = 10mA  
IF = 100mA  
IF = 150mA  
0.62  
¾
0.72  
0.855  
1.0  
VFM  
Forward Voltage  
V
¾
¾
1.25  
VR = 75V  
2.5  
50  
30  
25  
mA  
mA  
mA  
nA  
VR = 75V, Tj = 150°C  
VR = 25V, Tj = 150°C  
VR = 20V  
IRM  
Peak Reverse Current (Note 1)  
¾
VR = 0, f = 1.0MHz  
CT  
trr  
Total Capacitance  
¾
¾
4.0  
4.0  
pF  
ns  
IF = IR = 10mA,  
Irr = 0.1 x IR, RL = 100W  
Reverse Recovery Time  
Notes:  
1. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.  
2. Part mounted on FR-4 PC board with minimum recommended pad layout, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
3. No purposefully added lead.  
DS12002 Rev. 14 - 2  
1 of 3  
1N4448W  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
123

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1N4448W-7-F 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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