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1N4448W

更新时间: 2024-02-10 07:46:15
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页数 文件大小 规格书
3页 356K
描述
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

1N4448W 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:R-PDSO-F2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.58配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-F2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:0.25 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
最大功率耗散:0.15 W最大重复峰值反向电压:75 V
最大反向恢复时间:0.004 µs表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:10Base Number Matches:1

1N4448W 数据手册

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1N4448W  
SEMTECH ELECTRONICS LTD.  
(Subsidiary of Sino-Tech International Holdings Limited, a company  
listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)  
®
Dated : 07/04/2009  

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