1N4448W

更新时间： 2024-11-24 07:21:15

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美微科 - MCC		二极管开关
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描述
500mW 100 Volts Switching Diode

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1N4448W 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-G2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.07	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	0.25 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	240	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	最大反向恢复时间：	0.004 µs
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

1N4448W 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

1N4448W

Features

xꢀ Fast Switching Speed

xꢀ For General Purpose Switching Applications

500mW 100 Volts

Switching Diode

xꢀ Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix

designates RoHS Compliant. See ordering information)

Mechanical Data

xꢀ Marking Code: T5

SOD123

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisture Sensitivity Level 1

Maximum Ratings

Maximum Ratings @ 25°C Unless Otherwise Specified

Reverse Voltage

V_R

V_RM

I_O

100

Peak Reverse Voltage

Average Rectified Current

Peak Forward Surge Current

Power Dissipation

250

500

I_FSM

P_D

°C/W

°C

Thermal Resistance*

Operation/Storage Temp.

Range

Rthja

T, T

250

-55 to +150

STG

DIMENSIONS

INCHES

DIM

NOTE

MIN

MAX

MIN

3.55

2.55

1.40

-----

0.30

0.15

-----

MAX

3.85

2.85

1.80

1.35

.78

-----

.25

.15

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

.140

.100

.055

-----

.012

.006

-----

.152

.112

.071

.053

.031

-----

.01

Maximum Instantaneous

Forward Voltage

V_F

1.0V

I_FM= 100mA;

T_J= 25°C (Note 1)

V_R=20Volts

Maximum DC

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

I_R

25nA

50µA

2.5uA

T_J= 25°C

.006

T_J= 150°C

V^R=75Volts

SUGGESTED SOLDER

PAD LAYOUT

Typical Junction

Capacitance

Measured at

1.0MHz, V_R=4.0V

4pF

0.093

I_F=10mA

V_R= 6V

R_L=100Ω

Reverse Recovery Time

4nS

0.048”

Note: 1. Valid provided that terminals are kept at ambient temperature

0.036”

www.mccsemi.com

Revision: B

2011/08/25

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