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1N4448W

更新时间： 2024-01-23 23:00:12

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强茂 - PANJIT		二极管开关
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3页	56K
描述
SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES

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1N4448W 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-F2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.58	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	0.25 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	0.15 W	最大重复峰值反向电压：	75 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

1N4448W 数据手册

1N4148W, 1N4448W

SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES

POWER

410 - 500 mW

VOLTAGE

100 Volts

FEATURES

• Fast switching Speed

• Electrically Identical to Standard JEDEC

• High Conductance

• Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion

• Flat package SOD-123 in stead mini-MELF package.

MECHANICAL DATA

Case: SOD-123, Plastic

Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208

Approx. Weight:0.01 gram

SOD-123

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

PARAMETER

SYMBOL

1N4148W

1N4448W

UNITS

Reverse Voltage

100

Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

Maximum DC Blocking Voltage

100

RMS

Maximum Average Forward Current at Ta=25^OC

150

2.0

410

150

4.0

500

Peak Forward Surge Current, 8.3ms single half sine-wave

superimposed on rated load (JEDEC method)

IFSM

Power Dissipation Derate Above 25^OC

TOT

=10 mA

=5 mA

1.0

0.72

Maximum Forward Voltage

Maximum DC Reverse Current at Rated DC Blocking Voltage

2.5

4.0

450

2.5

4.0

450

µA

= 25^OC

Typical Junction Capacitance( Notes1)

Maximum Reverse Recovery (Notes2)

Maximum Thermal Resistance

TRR

^OC / W

^OC

RθJA

Storage Temperature Range

-55 TO +125

NOTE:

1. CJ at VR=0, f=1MHZ

2.From IF=10mA to IR=1mA, VR=6Volts, RL=100Ω

Part Number: 1N4148W, 1N4448W

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