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1N4448-TP

更新时间： 2024-10-30 20:06:11

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		二极管
页数	文件大小	规格书
4页	300K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2

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1N4448-TP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	DO-35
包装说明：	O-XALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.24
其他特性：	METALLURGICALLY BONDED	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-35
JESD-30 代码：	O-XALF-W2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.15 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	100 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1N4448-TP 数据手册

NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGNS

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

1N4448

Features

•

Lead Free Finish/Rohs Compliant (Note1) ("P"Suffix designates

Compliant. See ordering information)

Low Current Leakage

Metalurgically Bonded Construction

Low Cost

500mW 100Volt

Switching Diode

•

Marking : Cathode band and type number

Moisture Sensitivity Level 1

Maximum Ratings

DO-35

Operating Temperature: -55°C to +150°C

Storage Temperature: -55°C to +150°C

Maximum Thermal Resistance; 35°C/W Junction To Ambient

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

Reverse Voltage

Peak Reverse

Voltage

Average Rectified

Current

V_R

V_RM

75V

100V

I_O

150mA Resistive Load

f >= 50Hz

Cathode

Mark

Power Dissipation

Junction

Temperature

Peak Forward Surge

Current

P_TOT

T_J

500mW

150°C

I_FSM

500mA t<1s

Instantaneous

Forward Voltage

V_F

1.0V(MAX) I_FM= 100mA;

0.62-0.72V I_FM= 5.0mA

Maximum DC

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

Typical Junction

Capacitance

V_R=20Volts

T_J= 25°C

T_J= 150°C

VR=75Volts

Measured at

1.0MHz, V_R=4.0V

I_F=10mA

I_R

25nA

50mA

5µA

DIMENSIONS

INCHES

MIN

---

MIN

C_J

T_rr

4pF

DIM

MAX

.166

.079

.020

---

MAX

4.2

NOTE

---

2.00

.52

---

Reverse Recovery

Time

4nS

---

V_R= 6V

1.000

25.40

R_L=100W

*Pulse test: Pulse width 300 msec, Duty cycle 2%

Note: 1. Lead in Glass Exemption Applied, see EU Directive Annex 7(C)-I.

www.mccsemi.com

Revision: C

2013/02/18

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1N4448-TP 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NTE519	NTE	功能相似	Silicon Rectifier Diode Ultra Fast Switch
1N4148	DIOTEC	功能相似	Silicon Planar Diodes

与1N4448-TP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N4448TR	FAIRCHILD	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35, DO-35, 2 PIN
1N4448TR	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35
1N4448TR	ONSEMI	获取价格	高电导快速二极管
1N4448-TR	VISHAY	获取价格	Silicon Epitaxial Planar Diodes
1N4448TR_NL	FAIRCHILD	获取价格	暂无描述
1N4448TRLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35
1N4448TR-RECU	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35
1N4448TR-RMCU	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35
1N4448VC	ROHM	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon,
1N4448VG	ROHM	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon,

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