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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-5 |
| 包装说明： | O-MUPM-D1 | 针数： | 1 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.21 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 外壳连接： | ANODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-203AB | JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 400 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 1 |
| 最大输出电流： | 35 A | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 800 V | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3767 | NJSEMI |
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Silicon Power Rectifier |
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| 1N3767 | VISHAY |
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Power Silicon Rectifier Diodes, 35 A/40 A/60 A |
|
| 1N3767 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier |
|
| 1N3767 | INFINEON |
获取价格 |
35,40,and 60 Amp Power Silicon Rectifier Diodes |
|
| 1N3767PBF | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 900V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
|
| 1N3767PBF | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 900V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
|
| 1N3767R | ETC |
获取价格 |
Standard Rectifier (trr more than 500ns) |
|
| 1N3767RPBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 1N3767RPBF | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 900V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
|
| 1N3768 | MICROSEMI |
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Military Silicon Power Rectifier |
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