5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.64 |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3768R | MICROSEMI |
获取价格 |
Military Silicon Power Rectifier |
|
| 1N3768R | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
40A, 1000V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
|
| 1N3768R | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AB, ROHS COMPLIANT, |
|
| 1N3768RPBF | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
|
| 1N3770 | NJSEMI |
获取价格 |
DIODE |
|
| 1N3772 | ETC |
获取价格 |
FOUR-LAYER (SHOCKLEY) DIODE|20V V(BO) MAX|400UA I(S)|DO-204AA |
|
| 1N3773 | NJSEMI |
获取价格 |
GERMANIUM DIODES |
|
| 1N3773 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 25V V(RRM), Germanium, |
|
| 1N3773R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 25V V(RRM), Germanium, |
|
| 1N3773X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 25V V(RRM), Germanium, |
|
BSS123LT1资料解读：电气参数及替代型号推荐
LTC1151C双通道±15V零漂移运算放大器全面解读
CNX36手册解读：产品特性、应用及封装引脚详解
PS9552资料解读：引脚信息、电气参数
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
