生命周期: | Transferred | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.84 | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | GERMANIUM |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 0.5 V |
JESD-30 代码: | O-LALF-W2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 封装主体材料: | GLASS |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
最大功率耗散: | 0.08 W | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 25 V | 最大反向电流: | 4 µA |
最大反向恢复时间: | 0.04 µs | 表面贴装: | NO |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
1N3773R | MICROSEMI | Rectifier Diode, 1 Element, 25V V(RRM), Germanium, |
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1N3773X | MICROSEMI | Rectifier Diode, 1 Element, 25V V(RRM), Germanium, |
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1N3778 | ASI | Mixer Diode, Zero Barrier, X Band, Silicon, DO-23, DO-23, 2 PIN |
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1N3779 | MICROSEMI | Zener Diode, 6.7V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, DO-7, DO-7, 2 PIN |
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1N3779E3 | MICROSEMI | Zener Diode, 6.7V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, DO-7, DO-7, 2 PIN |
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1N3780 | MICROSEMI | Zener Diode, 6.7V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, DO-7, DO-7, 2 PIN |
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