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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DO-5 | 包装说明： | O-MUPM-D1 |
| 针数： | 1 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.2 |
| Is Samacsys： | N | 应用： | POWER |
| 外壳连接： | ANODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-5 | JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 |
| JESD-609代码： | e2 | 最大非重复峰值正向电流： | 500 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 1 | 最大输出电流： | 35 A |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 1000 V |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Silver (Sn/Ag) |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3768RPBF | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
|
| 1N3770 | NJSEMI |
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DIODE |
|
| 1N3772 | ETC |
获取价格 |
FOUR-LAYER (SHOCKLEY) DIODE|20V V(BO) MAX|400UA I(S)|DO-204AA |
|
| 1N3773 | NJSEMI |
获取价格 |
GERMANIUM DIODES |
|
| 1N3773 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 25V V(RRM), Germanium, |
|
| 1N3773R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 25V V(RRM), Germanium, |
|
| 1N3773X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 25V V(RRM), Germanium, |
|
| 1N3778 | ASI |
获取价格 |
Mixer Diode, Zero Barrier, X Band, Silicon, DO-23, DO-23, 2 PIN |
|
| 1N3779 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 6.7V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, DO-7, DO-7, 2 PIN |
|
| 1N3779E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 6.7V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, DO-7, DO-7, 2 PIN |
|
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