5秒后页面跳转
1N3773R PDF预览

1N3773R

更新时间: 2024-02-28 21:37:41
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 37K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 25V V(RRM), Germanium,

1N3773R 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.74Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:GERMANIUM二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大功率耗散:0.08 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:25 V
最大反向恢复时间:0.04 µs表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

1N3773R 数据手册

  

与1N3773R相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
1N3773X MICROSEMI Rectifier Diode, 1 Element, 25V V(RRM), Germanium,

获取价格

1N3778 ASI Mixer Diode, Zero Barrier, X Band, Silicon, DO-23, DO-23, 2 PIN

获取价格

1N3779 MICROSEMI Zener Diode, 6.7V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, DO-7, DO-7, 2 PIN

获取价格

1N3779E3 MICROSEMI Zener Diode, 6.7V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, DO-7, DO-7, 2 PIN

获取价格

1N3780 MICROSEMI Zener Diode, 6.7V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, DO-7, DO-7, 2 PIN

获取价格

1N3780E3 MICROSEMI Zener Diode, 6.7V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, DO-7, DO-7, 2 PIN

获取价格