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1N3779E3

更新时间: 2024-11-21 20:04:19
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美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 99K
描述
Zener Diode, 6.7V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, DO-7, DO-7, 2 PIN

1N3779E3 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-XALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.79
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-7JESD-30 代码:O-XALF-W2
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大功率耗散:0.4 W
标称参考电压:6.7 V表面贴装:NO
技术:ZENER端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL电压温度Coeff-Max:1.005 mV/ °C
最大电压容差:5%Base Number Matches:1

1N3779E3 数据手册

  

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