1N3768

更新时间： 2024-01-19 14:12:34

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德欧泰克 - DIOTEC		整流二极管
页数	文件大小	规格书
2页	162K
描述
Silicon-Power Rectifiers

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1N3768 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.64
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

1N3768 数据手册

1N 1183 ... 1N 1190, 1N 3766, 1N 3768

PBY 301 ... PBY 307

Silicon-Power Rectifiers

Silizium-Leistungs-Gleichrichter

Nominal current – Nennstrom

35 A

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

50…1000 V

Ø3.5

Type

Metal case – Metallgehäuse

Weight approx. – Gewicht ca.

DO-5

6 g

Standard polarity:

Cathode to stud / am Gewinde

SW17

Index R: Anode to stud / am Gewinde (e.g. 1N 1183 A/R)

Standard packaging: bulk

Standard Lieferform: lose im Karton

Dimensions / Maße in mm

Maximum ratings

Grenzwerte

Type

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

Surge peak reverse voltage

Stoßspitzensperrspannung

V_RSM[V]

Typ

V_RRM[V]

1N 1183

1N 1184

1N 1186

1N 1188

1N 1190

1N 3766

1N 3768

= PBY 301

= PBY 302

= PBY 303

= PBY 304

= PBY 305

= PBY 306

= PBY 307

100

200

400

600

800

1000

120

240

480

720

1000

1200

Max. average forward rectified current, R-load

Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last

T_C= 100ꢀC

f > 15 Hz

T_A= 25ꢀC

I_FAV

I_FRM

I_FSM

35 A ¹)

80 A ¹)

450 A

500 A

Repetitive peak forward current

Periodischer Spitzenstrom

Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave

Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle

Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave

Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle

Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms

i²t

T_j

1000 A²s

Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

– 65…+175ꢀC

T_S– 65…+175ꢀC

)

Valid, if the temp. of the stud is kept to 100ꢀC – Gültig, wenn die Temp. am Gewinde auf 100ꢀC gehalten wird

06.08.2002

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1N3768 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NTE6002	NTE	功能相似	NTE5906, NTE5907, NTE5980 thru NTE6005 Silicon Power Rectifier Diode, 40 Amp
S34100	MICROSEMI	功能相似	Silicon Power Rectifier

与1N3768相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N3768R	MICROSEMI	获取价格	Military Silicon Power Rectifier
1N3768R	STMICROELECTRONICS	获取价格	40A, 1000V, SILICON, RECTIFIER DIODE
1N3768R	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AB, ROHS COMPLIANT,
1N3768RPBF	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN
1N3770	NJSEMI	获取价格	DIODE
1N3772	ETC	获取价格	FOUR-LAYER (SHOCKLEY) DIODE\|20V V(BO) MAX\|400UA I(S)\|DO-204AA
1N3773	NJSEMI	获取价格	GERMANIUM DIODES
1N3773	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 25V V(RRM), Germanium,
1N3773R	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 25V V(RRM), Germanium,
1N3773X	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 25V V(RRM), Germanium,