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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-5 |
| 包装说明： | METAL, DO-5, 1 PIN | 针数： | 1 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.49 |
| 其他特性： | EXCELLENT RELIABILITY | 应用： | POWER |
| 外壳连接： | CATHODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.15 V | JEDEC-95代码： | DO-203AB |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 800 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 45 A | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 1000 V | 最大反向电流： | 40 µA |
| 最大反向恢复时间： | 5 µs | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| NTE6002 | NTE |
功能相似  |
NTE5906, NTE5907, NTE5980 thru NTE6005 Silicon Power Rectifier Diode, 40 Amp |
|
| JAN1N3768 | MICROSEMI |
功能相似 |
Military Silicon Power Rectifier |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| S34120 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier |
|
| S-3412OHM0.01% | VISHAY |
获取价格 |
Fixed Resistor, Wire Wound, 3W, 412ohm, 150V, 0.01% +/-Tol, -20,20ppm/Cel, Surface Mount, |
|
| S34140 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier |
|
| S34160 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier |
|
| S3417-O | ETC |
获取价格 |
DESOLDERING BRAID |
|
| S-342.2OHM0.01% | VISHAY |
获取价格 |
Fixed Resistor, Wire Wound, 3W, 42.2ohm, 150V, 0.01% +/-Tol, -20,20ppm/Cel, Surface Mount, |
|
| S3420 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier |
|
| S-3422OHM0.01% | VISHAY |
获取价格 |
Fixed Resistor, Wire Wound, 3W, 422ohm, 150V, 0.01% +/-Tol, -20,20ppm/Cel, Surface Mount, |
|
| S342B0R5D252CG | WALSIN |
获取价格 |
High reliability and stability |
|
| S342B0R5D252CT | WALSIN |
获取价格 |
High reliability and stability |
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