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S34120

更新时间: 2024-11-11 22:22:51
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
2页 122K
描述
Silicon Power Rectifier

S34120 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-5
包装说明:O-MUPM-D1针数:1
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.77
其他特性:EXCELLENT RELIABILITY应用:POWER
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.15 VJEDEC-95代码:DO-203AB
JESD-30 代码:O-MUPM-D1JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:800 A元件数量:1
相数:1端子数量:1
最高工作温度:200 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:45 A封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:1200 V最大反向电流:40 µA
最大反向恢复时间:5 µs表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

S34120 数据手册

 浏览型号S34120的Datasheet PDF文件第2页 

S34120 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1N5332 MICROSEMI

功能相似

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1
1N2281 MICROSEMI

功能相似

SILICON POWER RECTIFIER

与S34120相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
S-3412OHM0.01% VISHAY

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S3417-O ETC

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S-342.2OHM0.01% VISHAY

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S3420 MICROSEMI

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Silicon Power Rectifier
S-3422OHM0.01% VISHAY

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Fixed Resistor, Wire Wound, 3W, 422ohm, 150V, 0.01% +/-Tol, -20,20ppm/Cel, Surface Mount,
S342B0R5D252CG WALSIN

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