是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DO-5 |
包装说明: | O-MUPM-D1 | 针数: | 1 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.77 |
其他特性: | EXCELLENT RELIABILITY | 应用: | POWER |
外壳连接: | CATHODE | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1.15 V | JEDEC-95代码: | DO-203AB |
JESD-30 代码: | O-MUPM-D1 | JESD-609代码: | e0 |
最大非重复峰值正向电流: | 800 A | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 1 |
最高工作温度: | 200 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
最大输出电流: | 45 A | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | POST/STUD MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 1200 V | 最大反向电流: | 40 µA |
最大反向恢复时间: | 5 µs | 表面贴装: | NO |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | SOLDER LUG |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
1N5332 | MICROSEMI |
功能相似 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 | |
1N2281 | MICROSEMI |
功能相似 |
SILICON POWER RECTIFIER |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
S-3412OHM0.01% | VISHAY |
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Fixed Resistor, Wire Wound, 3W, 412ohm, 150V, 0.01% +/-Tol, -20,20ppm/Cel, Surface Mount, | |
S34140 | MICROSEMI |
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Silicon Power Rectifier | |
S34160 | MICROSEMI |
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Silicon Power Rectifier | |
S3417-O | ETC |
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DESOLDERING BRAID | |
S-342.2OHM0.01% | VISHAY |
获取价格 |
Fixed Resistor, Wire Wound, 3W, 42.2ohm, 150V, 0.01% +/-Tol, -20,20ppm/Cel, Surface Mount, | |
S3420 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier | |
S-3422OHM0.01% | VISHAY |
获取价格 |
Fixed Resistor, Wire Wound, 3W, 422ohm, 150V, 0.01% +/-Tol, -20,20ppm/Cel, Surface Mount, | |
S342B0R5D252CG | WALSIN |
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High reliability and stability | |
S342B0R5D252CT | WALSIN |
获取价格 |
High reliability and stability | |
S342B0R5F252CG | WALSIN |
获取价格 |
High reliability and stability |