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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3768R | MICROSEMI |
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Military Silicon Power Rectifier |
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| 1N3768R | STMICROELECTRONICS |
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40A, 1000V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
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| 1N3768R | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AB, ROHS COMPLIANT, |
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| 1N3768RPBF | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
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| 1N3770 | NJSEMI |
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DIODE |
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| 1N3772 | ETC |
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FOUR-LAYER (SHOCKLEY) DIODE|20V V(BO) MAX|400UA I(S)|DO-204AA |
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| 1N3773 | NJSEMI |
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GERMANIUM DIODES |
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| 1N3773 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 25V V(RRM), Germanium, |
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| 1N3773R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 25V V(RRM), Germanium, |
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| 1N3773X | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 25V V(RRM), Germanium, |
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