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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-5 |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, DO-5, 1 PIN | 针数： | 1 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| Factory Lead Time： | 18 weeks | 风险等级： | 5.22 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH RELIABILITY, LOW LEAKAGE CURRENT |
| 应用： | HIGH POWER | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.8 V |
| JEDEC-95代码： | DO-203AB | JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 475 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 35 A | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 1000 V | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3768R | MICROSEMI |
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Military Silicon Power Rectifier |
|
| 1N3768R | STMICROELECTRONICS |
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40A, 1000V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
|
| 1N3768R | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AB, ROHS COMPLIANT, |
|
| 1N3768RPBF | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
|
| 1N3770 | NJSEMI |
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DIODE |
|
| 1N3772 | ETC |
获取价格 |
FOUR-LAYER (SHOCKLEY) DIODE|20V V(BO) MAX|400UA I(S)|DO-204AA |
|
| 1N3773 | NJSEMI |
获取价格 |
GERMANIUM DIODES |
|
| 1N3773 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 25V V(RRM), Germanium, |
|
| 1N3773R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 25V V(RRM), Germanium, |
|
| 1N3773X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 25V V(RRM), Germanium, |
|
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