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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-5 |
| 包装说明： | O-MUPM-D1 | 针数： | 1 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.41 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 外壳连接： | CATHODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-203AB | JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 |
| JESD-609代码： | e2 | 最大非重复峰值正向电流： | 400 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 1 | 最大输出电流： | 35 A |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 900 V |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN COPPER |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3767R | ETC |
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Standard Rectifier (trr more than 500ns) |
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| 1N3767RPBF | INFINEON |
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暂无描述 |
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| 1N3767RPBF | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 900V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
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| 1N3768 | MICROSEMI |
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Military Silicon Power Rectifier |
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| 1N3768 | DIOTEC |
获取价格 |
Silicon-Power Rectifiers |
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| 1N3768 | INFINEON |
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35,40,and 60 Amp Power Silicon Rectifier Diodes |
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| 1N3768 | VISHAY |
获取价格 |
Power Silicon Rectifier Diodes, 35 A/40 A/60 A |
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| 1N3768 | NJSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier |
|
| 1N3768R | MICROSEMI |
获取价格 |
Military Silicon Power Rectifier |
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| 1N3768R | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
40A, 1000V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
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